Struktur morfologi, komposisi kimia dan resistansi lapisan TiO2- Cu sebagai lapisan aktif pada sel surya fotoelektrokimia

Abstract

Peningkatan efisiensi sel surya titania terus dikembangkan. Salah satunya adalahmemodifikasi titania yang berfungsi sebagai lapisan aktif. Lapisan titania dapat disisipi denganlogam Cu. Penyisipan logam Cu pada TiO2 dilakukan melalui pembuatan nanokomposit TiO2-Cudengan metode sol-gel. Lapisan TiO2-Cu yang terbentuk dikarakterisasi dengan SEM (ScanningElectron Microscopy) untuk mengetahui struktur morfologi permukaan, EDX (Energy dispersiveX-ray spectroscopy) untuk mengetahui komposisi bahan. Sedangkan resistansi lapisan diukurmenggunakan Jembatan Wheatstone. Berdasarkan hasil SEM dapat ditunjukkan bahwa strukturmorfologi permukaan lapisan TiO2-Cu tidak berbeda secara signifikan dengan lapisan TiO2, yaitucukup homogen dan memiliki ukuran butir (grain) yang hampir sama. Tetapi dari hasil EDXdiperoleh bahwa lapisan TiO2-Cu yaitu lapisan TiO2 yang disisipi logam tembaga mengandungunsur Ti sebanyak 59,8%, unsur O sebanyak 40,02% dan unsur Cu sebanyak 0,19%. Sedangkanlapisan TiO2 saja mengandung unsur Ti sebanyak 54,25% dan unsur O sebanyak 45,75%.Penyisipan logam tembaga pada lapisan titania dapat menurunkan resistansi listrik lapisan. Nilairesistansi lapisan TiO2 adalah 7,714 kilo ohm. Sedangkan nilai resistansi lapisan TiO2-Cu adalah6,624 kilo ohm.Kata kunci: titania, logam Cu, morfologi, komposisi, resistansi